怎样发掘NAND Flash的IO机能

以是，从上述的描写来看，固然两个Plane之间的数据寄存器是完全独立的，可是，操纵寄存器是共享的，可以让读写和擦除操纵在这两个Plane上并发执行。可是，这种并发操纵的前提是两个Plane必需同时举办沟通的操纵。而不是两个Plane可以随意、独立、并发执行差异的操纵。这就是两个Plane并发操纵的范围，可是纵然是这样，假如软件层可以或许计划好的算法，可以或许充实的让多个Plane并发执行，那么IO机能照旧可以大幅度的晋升。

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在NAND Flash芯片中，一个真正的独立并发单位是Die。以MT29F128G为例，一个Device内部有两个Die，在芯片内部，这两个Die拥有独立的操纵寄存器、状态信号线，对外的节制、状态信号线是共享的。在这种环境下，芯片提供了一种Interleave的操纵方法，可以完全并发这两个Die的读写、擦除操纵。下图是两个Die的并发读时序图：

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从上图可以看出，两个Die内部拥有独立R/B#信号线，对外的状态信号线是内部状态信号的“逻辑与”功效。两个Die的操纵可以独立、并发，只不外因为共享对外接口，因此在数据输出时还必要串行化。

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Interleave的并发写时序如下图所示：

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和并发读操纵相同，两个Die可以完全独立的并发执行写操纵。

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在Device级别这种并发操纵显得越发随意。差异的Device拥有完全独立的对外接口，因此，两个Device可以同时执行独立的操纵。

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综上而言，在NAND Flash芯片内部有3种并发执行单位，别离是Device、Die和Plane。个中Plane是数据寄存器独立，因此，多个Plane之间可以并发的执行沟通的操纵；Die拥有独立的操纵寄存器、独立的内部状态信号线，共享外部接口，因此，多个Die之间可以独立并发操纵；Device之间拥有独立的节制、数据信号线，因此，多个Device之间可以随意并发。操作好NAND Flash芯片内部的这些并发单位，可以很好的晋升闪存存储的IO机能。

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转载自：http://alanwu.blog.51cto.com/3652632/1544227

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（编辑：湖南网）

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