怎样发掘NAND Flash的IO机能
发布时间：2021-03-14 19:53:14 所属栏目：大数据 来源：网络整理
导读：作者简介 吴忠杰 现任职务： Memblaze ?高级总监 NAND Flash 芯片是组成 SSD 的根基存储单位， NAND Flash 芯片工艺的成长、布局的变革将会敦促整个闪存存储财富的高速成长。在计划闪存存储体系的时辰，出格是在计划 NAND Flash 节制器、 SSD 盘可能卡的时辰
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和并发读操纵相同，两个Plane之间的并发写也不是随意的，必要同时做沟通的操纵。两个Plane的并发操纵必要同时提倡呼吁。对付写操纵，起首必要加载两个Plane的会见解点。第一个地点期的竣事符11H不会触发真正的编程操纵；第二个地点期的竣事符10H才会真正触发编程操纵。一旦编程操纵启动之后，状态信号R/B#就会置低，直到编程操纵完成，状态信号才气规复。 ? 两个Plane的并发擦除操纵时序如下图所示： ? ? 和读写操纵的道理一样，两个Plane的并发擦除必要同时加载两个Plane的地点信息，然后靠山并发同时执行擦除操纵。和串行操纵对比，这种并发操纵可以晋升NAND Flash的整体机能。 ? （编辑：湖南网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
