三星完成5纳米EUV工艺研发：功耗降低20%

中关村在线动静：4月16日，三星在官方网站公布今朝三星电子已经乐成完成5nm EUV开拓，将能实现芯片的更大面积扩展并带来超低功耗。

三星

三星电子暗示其5nm（纳米）FinFET工艺技能的开拓已完成，并能给客户提供样品。与7nm对比，三星的5nm FinFET工艺技能将逻辑地区服从进步25%，机能进步10%，功耗低落20%，可以或许带来更多创新的尺度单位架构。

三星电子锻造营业执行副总裁Charlie Bae暗示“乐成完成5nm开拓，已证明白我们在基于EUV的节点中的手段，我们将全力加快基于EUV技能的批量出产。”

三星在2018年10月就公布筹备并起源出产回收EUV光刻技能的7nm工艺，三星今朝已提供业界首批基于EUV的新产物的贸易样品，在本年年头将开始量产7nm工艺。

（文中图片来自互联网）

（编辑：湖南网）

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