台积电技能蹊径图：2纳米3纳米工艺将定时推出

全栅场效应晶体管(GAAFET)还是台积电成长蹊径图的重要构成部门。该公司估量将在其“后N3”技能(或许是N2)中行使全新的晶体管。究竟上，台积电正处于探求下一代原料和晶体管布局的阶段，这些原料和晶体管布局将在将来很多年内行使。

台积电在最近的年报中称：“对付先辈的CMOS（互补金属氧化物半导体），台积电的3纳米和2纳米CMOS节点在流水线长盼望顺遂。”另外，台积电增强的试探性研发事变齐集在2纳米节点、3D晶体管、新存储器和Low-R互连等规模，这些规模正在为引入很多技能平台奠基坚硬的基本。

值得留意的是，台积电正在12号工场扩大研发手段，今朝正在研发N3、N2和更先辈的节点。

有信念逾越代工行颐魅整体增添率

总体而言，台积电信托，其“各人的晶圆代工场” (everyone's foundry)计谋将使其在局限、市场份额和贩卖额方面进一步增添。该公司还估量，将来将保持其技能领先职位，这对其增添至关重要。

台积电首席财政官黄文德最近在与说明师和投资者的电话集会会议上暗示：“我们此刻猜测，2021年整年，代工行业的增添率约为16%。对付台积电来说，我们有信念可以或许逾越晶圆代工行业的整体增添，在2021年实现20%阁下的增添。”

该公司拥有强盛的技能蹊径图，并将继承每年推出改造的前沿节点，从而以可猜测的节拍为客户提供技能改造。

台积电知道怎样与拥有尖端节点的竞争敌手以及专注于专业工艺技能的芯片制造商竞争，因此它并不以为英特尔代工处事(IFS)是直接的威胁，出格是由于后者首要聚焦于尖端和先辈的节点。

金融说明师广泛认同台积电的乐观立场，首要是由于估量该公司的N3和N5节点将不会有竞争敌手提供相同的晶体管密度和晶圆产能。

华兴证券说明师暗示：“继英特尔本年3月公布的晶圆代家产务回归后，台积电乐意从2021年开始拟定为期3年的1000亿美元成本支出和研发投资打算，这表白其有信念扩大代工率领职位。我们以为，跟着N3和N5的呈现，台积电的计谋代价也在上升：HPC和智妙手机应用的N5出产勾当强劲，同时与N5和N7在相同阶段对比，N3客户的参加度更高。” （小小）

（编辑：湖南网）

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