站在“新基建”海潮上的第三代半导体财富 （下）
发布时间：2020-05-16 18:27:54 所属栏目：业界 来源：站长网
导读：副问题#e# 本文为祥峰投资对第三代半导体财富研究内容，个中包括了各原料机能比拟与原料应用范畴，利便从底层相识半导体财富成长，系列文章较长，提议保藏阅读。本文为上篇，上篇请点击：第三代半导体财富（上） 在上一期的“站在‘新基建’海潮上的第三代
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海内GaN芯片财富链 海内GaN芯片公司大多都是IDM模式，凌驾外延、计划、制造全链条。轻资产的Fabless公司较少。
海内SiC芯片财富链 海内SiC财富如故以衬底、外延、制造环节为主，轻资产的Fabless公司很少。行业总体仍处于起步阶段。 连年来海内已起源成立起相对完备的碳化硅财富链系统，追赶速率在加速。 单晶衬底方面，今朝海内可实现4英寸衬底的贸易化出产，山东天岳、天科合达、同光晶体均已完成6英寸衬底的研发，中电科设备研制出6英寸半绝缘衬底。 外延方面，海内瀚每天成和天域半导体均可供给4-6英寸外延片，中电科13所、55所亦均有内部供给的外延片出产部分。 （编辑：湖南网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
