站在“新基建”海潮上的第三代半导体财富 （下）

芯片计划与制造方面，海内600-3300VSiC-SBD已开始批量应用，有企业研发出1200V/50ASiC-MOSFET；泰科天润已建成海内第一条SiC器件出产线，SBD产物包围600V-3300V的电压范畴；中车期间电气的6英寸SiC出产线也于2018年1月首批芯片试制乐成。

第三代半导体的总体总结

第三代半导体率先大局限贸易化的是GaN和SiC。因为衬底原料制备、外延等技能如故不足成熟，分立器件产物阶段处于局限商用初期，集成电路产物阶段处于试探期。

第三代半导体与第一代、第二代半导体是增补和部门更换的相关。在高电压、大电流、高频、高温等应用中，第三代半导体有明明的机能上风，一方面可用于硅基器件无法胜任的对机能要求越发极度的工况前提，另一方面也可以低落体系的整体能耗、尺寸或重量，因而存在更换部门硅基器件的机遇，要害看体系的机能指标要求，以及性价比。

第三代半导体今朝应用市场局限有限，将来市场增速可期。

GaN的机遇与市场空间

GaN射频器件环球市场估量到2024年生长至20亿美元。首要的市场增添来自军用和5G通讯。GaN将在5G基站的射频芯片替代Si-LDMOS。5G将敦促该市场在2024年到达7.5亿美元。

GaN功率器件的增添来自电源打点、新能源车、LiDAR、封包追踪等应用。2016年GaN功率器件环球市场局限仅1200万美元，今朝不到1亿美元，估量到2022年将增添到4.6亿美元。

（编辑：湖南网）

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