Intel 5年内量产纳米线/纳米带晶体管 搭档3nm？

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FinFET立体晶体管是Intel 22nm、台积电16nm、三星14nm工艺节点上引入的，仍在一连推进，而接下来最有但愿的厘革就是GAA环抱栅极布局，从头计划晶体管底层布局，并且可以做得很小(nanowire纳米线)，也可以做得很宽(nanosheet纳米片)。

这方面较量高调的当属三星，早就公布将在3nm工艺节点上应用GAA布局。台积电、Intel则没有发布或确定详细打算。

在集会会议问答阶段，有记者问起Mike Mayberry，纳米线、纳米带(nanoribbon)布局的晶体管何时可以或许投入大局限量产，他暗示固然没有明晰的蹊径图，但大致预计将来5年内有戏。

按照起初发布的恍惚蹊径图，Intel将来将每两年举办一次工艺节点重大进级，而每一代工艺城市有+、++两次优化加强，2021年是7nm，首发用于高机能计较GPU Ponte Vecchio，2023年估量进入5nm并同时有7nm++，2025年转入3nm并同时有5nm++。

凭证Mike Mayberry给出的时刻表，假如乐观激进的话，Intel有望在3nm工艺上应用全新的纳米布局晶体管，可能慢一点的话到时辰照旧5nm。

他还瞻望了更迢遥的将来，2030年前有望进着迷经拟态(neuromorphic)的计较期间，而至于量子计较，也许要2030-2035年才气真正投入商用。

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（编辑：湖南网）

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