SSD主控催化剂：STT-MRAM自旋磁阻内存升级GF 12nm工艺

MRAM是一种非易失性存储，其远景被普及看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一向都在研究，读写速率可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，但同时又长短易失性的，也就是可以断电生涯数据，综合了传统内存、闪存的利益。

STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入，具备布局简朴、本钱低、消费小、速率快等一系列利益，只是容量密度晋升坚苦，以是想代替内存、闪存暂且不实际，但很是适实用在各类嵌入式规模。

GF、Everspin的精采相助由来已久，2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的，单颗容量32MB，2019年的第二代则进级为GF 28nm，单颗容量翻了两番到达128MB。

就在日前，GF 22FDX工艺乐成试产了eMRAM，-40℃到125℃情形下可事变10万个周期，数据保持可长达10年。

进一步进级到12nm，天然有利于进一步晋升MRAM的容量密度，并继承低落本钱，尤其是跟着MRAM芯片容量的进步，急切必要更先辈的工艺。

GF 12nm工艺包罗12LP、12LP+两个版本，固然算不上多先辈但也有辽阔的用武之地，尤其得当节制器、微节制器等，好比群联电子、Sage的不少企业级SSD主控都打算插手eMRAM，从而晋升机能、低落耽误、进步QoS。

固然各人也许认为没见过MRAM，不外Everspin宣称已经向100多家客户出货了1.25亿颗MRAM芯片，还援引陈诉称到2029年独立MRAM芯片贩卖额可达40亿美元。

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（编辑：湖南网）

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