三星将向中国芯片厂再投资80亿美元：欲用创新压制

据韩国媒体报道称，三星电子将对个中国芯片工场增进80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的出产。据估量，因为供给有限，以及对5G装备和收集需求的不绝上升，来岁环球内存芯片市场将呈现反弹。

三星是天下上最大的NAND闪存芯片制造商，NAND闪存芯片可以永世生涯数据，广泛用于移动装备、存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中。三星2017年曾公布，将来三年将向出产NAND闪存芯片的西安工场投资70亿美元。在此之前，三星早些时辰还向西安的一家检测和包装工场投资了108亿美元。

此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目标二期的第二阶段投资，之前的 108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。

二期项目估量于2021年下半年完工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。

有说明人士暗示，三星为了冲击国产自主内存，正在加大投资，以担保足够的创新。本年9月，紫光团体旗下长江存储科技有限责任公司公布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满意固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

三星

（编辑：湖南网）

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