芯片丨三星电子将向其中国芯片工厂再投资80亿美元

12月13日动静，据海外媒体报道，三星电子将向其位于中国的芯片工场增进80亿美元的投资，以进步NAND闪存芯片的产量。

此次投资正值内存芯片行业估量来岁呈现反弹之际，目前年该行业增添迟钝。这在很洪流平上是因为供给不敷以及市场对5G装备的需求增进。今朝，天下各地都在测试5G收集。

这80亿美元的投资，是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资。此前，在2017年，该公司公布，打算在3年内向其位于西安的NAND闪存芯片工场投资70亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。

该公司二期项目标总投资为150亿美元，估量于2021年下半年完工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。

自2014年以来，三星一向在其位于西安的工场出产NAND芯片。从技能层面来说，NAND芯片可永世生涯数据，是很多计较和存储装备的一部门，可用于移动装备、存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘。

此前，三星还向西安的一家检测和包装工场投资了108亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目标一期投资。

在NAND闪存规模，三星与包罗韩国SK海力士（SK Hynix）、美光科技、西部数据、英特尔和东芝在内的竞争敌手睁开剧烈竞争。（小狐狸）

（编辑：湖南网）

【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容!