10nm：三星还在不断推进？台积电已经准备好了？

　　三星的7nm制造技能被以为是该公司首个行使EUV光刻量产节点。据报道，量产时刻会在2019年或之后，可是试产会在2018年系半年。可是在接下来的几年，统统会变得越发风趣。由于三星在Roadmap上发布了之前很少被提到的8nm和6nm制程。

　　三星官方暗示，和现有的节点技能对比，这两个新技能将会提供更好的扩展性、机能和功耗上风，这就意味着新技能对比三星此刻正在行使的14nm和10nm工艺机能更好。最重要的是，三星暗示，8nm和6nm节点会别离担任现有的10nm和7nm技能的上风。这就意味着8nm在一些要害层仍旧行使DUV和多次曝光(三次可能四次，但三星方面并没有确认是否会用四次)，而6nm则是三星的第二代EUV技能。

　　此刻关于三星8LPP制造技能，独一确定的是他们会行使DUV制程技能去缩小晶粒的尺寸(增进晶体管密度)，同时拥有比10LPP更好的频率示意。思量到新工艺对前任的技能技能，我们以为8LPP会在2019年带来更高机能的SoC出产。

　　因为三星打算在2018年下半年试产7LPP，但直到2019年下半年前，照旧没步伐实现量产。必要提示一下，三星此刻都是在十月份开始其先辈工艺的大局限量产，那么就意味着我们大概会在2019年秋日看到7LPP的大局限量产。

　　8LPP会是三星昔时更先辈的工艺。三星并没有说起其6nm工艺的时刻线，也没有透露太多关于此技能的信息。但我们可以必定的是必要行使ASML的EUV器材(譬喻NXE:3350B)行止理赏罚更多的图层，以求得到更好的PPA。而据我们预计，真正的量产时刻会在2020年之后。

　　在本年三月，三星只是简朴提了10LPU、8LPP和6nm制程，但他们并没有谈及太多技能，乃至连PPA的晋升方针也没有讲到。增进了两个DUV技能节点(10LPU和8LPP)，意味着到2019至2021年间，EUV不会是全部应用的最好选择，这长短常合乎逻辑的。那么题目来了，我们不知道DUV和EUV在EUV早期应该以一种怎么样的方法共存。

　　五月尾，三星将会在美国举行FAB论坛，届时我们大概会有更多机遇去相识三星在FAB方面的打算。但我们假如想获得更多关于这些新技能的细节，大概还必要多等几个月。

　　并不是每小我私人都必要先辈工艺：TSMC 22nm ULP、12nm FFC和12nm FCC+

　　此刻，让我们接头一下那些没那么先辈，可是被销量庞大的产物所回收的技能。

　　开拓基于FinFET技能的芯片比平面晶体管贵得多，制造本钱会奋发得多。究竟上，FinFET也基础不得当那些必要多样化方案的物联网相干芯片开拓者。

　　GlobalFoundries 和Samsung给他们提供了FD-DOI工艺。这个公司除了有更好的本钱上风外，尚有其他方面的利益。TSMC也规划为这些应用推出一个全新的22nm ULP工艺。CLN22ULP是该公司28nm HPC+工艺的一个优化版本。对比于28nmHPC+，22ULP能低落10%的面积，晋升15%的机能，功耗也能低落35%。22ULP是TSMC ULP家属的另一个新成员，这会和GlobalFoundries的22FDX、三星的28nm FD-SOI睁开竞争。

　　接下来就是TSMC的12nm FFC制造技能，这是该公司CLN16FFC工艺的优化版本，能低落20%的面积。可以看到的是，能带来更高的晶体管密度。

　　CLN12FFC在沟通功耗的环境下提供10%的频率晋升;而在时钟频率沟通的环境下，能带来25%的功耗镌汰。从Roadmap我们可以看到，TSMC技能提供一个拥有更低电压的CLN12FFC，但也许直到2018年可能2019年，都不会实现。

（编辑：湖南网）

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