SK海力士推出176层4D NAND闪存芯片

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（来自：SK hynix）

从 96 层 NAND 闪存芯片开始，海力士一向在敦促 4D 技能的成长。本文先容的 176 层 NAND 芯片，已经成长到第三代。从制造上来说，其可以或许确保业内最佳的每片晶圆产出。

海力士 NAND 开拓认真人 Jung Dal Choi 暗示：“闪存行颐魅正在全力改进技能，以实现高集成度和高产量。同时作为 4D NAND 的先驱，海力士将引领业内最高的技能和产能”。

机能方面，第三代 4D NAND 技能可晋升单位读取速率和数据传输速度，另外 176 层 NAND 闪存芯片回收了 2 分区单位阵列选择技能。

其道理是将存储单位分成了两个部门，挪用电阻更低、读取速率更快。通过不增进处理赏罚数目的加快技能（确保数据挪用哀求可以或许快速相应），第三代 4D NAND 还可将传输速度晋升 33% 。

然后是可以或许及时自动校正的超慎密瞄准技能，其特点是可以或许保障仓库之间的电流不变性，进而确保靠得住的机能。

瞻望将来，海力士但愿开拓出基于 176 层 4D NAND 技能的 Tb 级产物。在此之前，美光已经宣布了 176 层 NAND，而且推出了基于英睿达品牌的产物。

本文素材来自互联网

（编辑：湖南网）

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