中国乐成研制超判别率光刻机：将来可加工10nm芯片

原问题：中国乐成研制超判别率光刻机：将来可加工10nm芯片

11月30日动静，据媒体报道，由中国科学院光电技能研究所主导的项目“超判别光刻设备研制”29日通过验收。

该光刻机光刻判别力到达22nm，团结双重曝光技能后，将来还可用于制造10nm级此外芯片。

专家暗示，该光刻机在365nm光源波长下，单次曝光最高线宽判别力到达22nm。项目在道理上打破判别力衍射极限，成立了一条高判别、大面积的纳米光刻设备研发新蹊径，绕过海外相干常识产权壁垒。

据悉，光刻机是制造芯片的焦点设备，我国在这一规模恒久落伍。它回收相同照片冲印的技能，把母版上的风雅图形通过曝光转移至硅片上，一样平常来说，，光刻判别力越高，加工的芯片集成度也就越高。

项目副总计划师胡松先容，中科院光电所此次通过验收的外貌等离子体超判别光刻设备，冲破了传统蹊径名堂，形成一条全新的纳米光学光刻技能蹊径，具有完全自主常识产权，为超原料/超外貌、第三代光学器件、广义芯片等厘革性规模的超过式成长提供了制造器材。

（编辑：湖南网）

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