SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗镌汰15%

原问题：SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗镌汰15%

11月12日动静，SK Hynix（SK海力士）公布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。

该芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz频率，号称可以提供最佳的机能和容量密度。

技能指标方面，相较于1Xnm，1Ynm芯片的出产率进步了20%，功耗低落了15%。

SK海力士还暗示，新的1Ynm芯片还明显进步了传感器精准度、调解了晶体管布局，使得数据传输的堕落率低落。

官方称，1Ynm DDR4 DRAM芯片将于来岁一季度出货，率先用于处事器和PC产物上，最后向手机等规模推广。

科普：

在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描写已经不再行使详细的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再今后则是1y nm工艺，尚有1z nm工艺的说法，至于XYZ详细的寄义，因为每家公司的工艺并纷歧样，以是穷乏具体的表明。

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（编辑：湖南网）

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