台积电3nm细节发布！2.5亿晶体管/mm2 能耗机能大奔腾

在线动静：克日据悉，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度到达了破天荒的2.5亿/mm²！

台积电3nm细节发布！2.5亿晶体管/mm2 能耗机能大奔腾

作为参考，回收台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²，晶体管密度103亿，均匀下来是0.9亿/mm²，3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。

这个密度详细比喻一下，就是将奔驰4处理赏罚器缩小到针头巨细。

台积电5nm较7nm机能晋升15%，能耗晋升30%，而3nm较5nm机能晋升7%，能耗晋升15%。

台积电还暗示，3nm工艺研发切合预期，并没有受到疫情影响，估量在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。

台积电评估多种选择后以为现行的FinFET工艺在本钱及能效上更佳，以是3nm首发依然会是FinFET晶体管技能。

但台积电老敌手三星则押宝3nm节点翻身，以是进度及技能选择都很激进，将会裁减FinFET晶体管直接行使GAA环抱栅极晶体管。【7422342】

（笔墨图片来自互联网）

（编辑：湖南网）

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