台积电推出性能增强版的7nm和5nm制造工艺

中关村在线动静：克日外媒动静，台积电已经清静推出了 7nm 深紫外（N7 / DUV）和 5nm 极紫外（N5 / EUV）制造工艺的机能加强版本。

台积电推出机能加强的7nm和5nm制造工艺

其N7P 和 N5P 技能，专为那些必要运行更快、耗损更少电量的客户而计划。尽量 N7P 与 N7 的计划法则沟通，但新工艺优化了前端（FEOL）和中端（MOL）制程，可在平等功率下将机能晋升 7%、或在同频下低落 10% 的功耗。

在日本举行的 2019 VLSI 研讨会上，台积电透露了哪些客户已经可以用上新工艺，但该公司好像并没有广而告之的设法。

N7P 回收颠末验证的深紫外（DUV）光刻技能，与 N7 对比，它没有增进晶体管的密度。

有些必要跨越约 18~20％ 晶体管密度的 TSMC 客户，估量必要行使台积电的 N7+ 和 N6 工艺，后者行使极紫外（EUV）光刻技能举办多层处理赏罚。

尽量 N7 和 N6 都是将来几年的“长”节点，但台积电会在下一个 N5 节点带来明显的密度、功耗和机能改造。

N5 之后也会迎来一个叫做 N5P 的加强版本，辅以 FEOL 和 MOL 优化，以便让芯片在沟通功率下晋升 7% 的机能、或在同频下低落 15% 的功耗。

（文中图片来自互联网）

（编辑：湖南网）

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