东芝:完成128层3D NAND Flash芯片开拓
发布时间:2019-03-08 13:31:37 所属栏目:移动互联 来源:张金梁
导读:【中关村在线消息资讯】3月7日动静,东芝和相助搭档西部数据日前公布,已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开拓,估量商用名会是BiCS-5。 (图片来自https://news.mydrivers.com/1/618/618269.htm) BiCS-5理论容量密度晋升约33%,晶片容量为512Gb(64GB),
【中关村在线消息资讯】3月7日动静,,东芝和相助搭档西部数据日前公布,已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开拓,估量商用名会是BiCS-5。
BiCS-5理论容量密度晋升约33%,晶片容量为512Gb(64GB),打算2020年到2021年时代商用。 机能方面,BiCS-5芯片回收单Die四矩阵技能,写速相较于两矩阵翻番,到达132MB/s。这个速率怎么领略?就是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。 风趣的是,128层产物为TLC,而非QLC,缘故起因是后者的产能还很低。 (编辑:湖南网) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |
站长推荐
热点阅读