韩国推出“GaN半导体集成电路”国度级课题组

韩国创立“GaN半导体集成电路”国度级课题组

X-band “氮化镓”半导体超高频率集成电路(MMIC)是安装在韩国战斗机(KF-X)上的雷达焦点配件。

此次课题由RFHIC(艾尔福)牵头认真执行。SK Siltron将参加碳化硅基板、氮化镓树脂(EPI)的建造,LIG nex1认真体系的验证。韩国电子通讯研究院(ETRI)的半导体工场将被用来举办GaN MMIC的建造。

除X-band外,课题还将扩大到Ku-band、Ka-band等,该技能也合用于扩展到28千兆(GHz)的5G通讯装备及卫星通讯。

早前的4月1日,韩国当局曾召开集会会议,颁发了“下一代功率半导体技能开拓及产能扩充方案”。其公布将正式培养下一代功率半导体技能,到2025年开拓5种以上的贸易化产物,并在海内建树6～8英寸代工场。

今朝为止,从SiC到体系修建氮化镓供给链的国度只有美国和中国,个中乐成实现商品化的国度只有美国。

环球第三代半导体名单

基于摩尔定律即将走到极限,各家半导体颐魅者正寻求第三代半导体开拓。所谓第三代半导系统指原料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体为主,有别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导体原料。今朝,氮化镓(GaN)半导体外洋首要参加者包罗:Cree(CREE．US)、Efficient Power Conversion Corporation、富士通有限公司、GaN Systems、英飞凌科技股份公司、NexGen电力体系(NXE．US)、恩智浦半导体、Qorvo, Inc．(QRVO．US)、德州仪器公司(TXN．US)、东芝公司等。

从国度和地域来看,日本当局集结上中下流财富相助成长GaN,5年内打算拨款90兆日圆扶助研发氮化镓在半导体方面应用的大学和企业。固然,碳化硅成长比氮化镓更成熟,但日本是环球第一个研发氮化镓的国度。

欧盟早在2019年即核准投资化合物半导体打算,由威尔士牵头。该打算将为研究勾当提供17．5亿欧元的资金,同时将带来高达60亿欧元的民间风险投资。

中国当局制订的“十四五筹划”中,在集成电路规模,出格提出了碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体要取得成长。

（编辑：湖南网）

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