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源于美国,兴于日韩,将来看中国!揭秘存储行业60年兴衰

发布时间:2021-04-21 16:02:41 所属栏目:业界 来源:未知
导读:信息存储的需求基石,来历于文明传承与连续,跟着天下数字化趋势而发作增添。凭证存储介质的差异,当代数字存储首要分为光学存储、磁性存储和半导体存储三类。从存储市场局限来看,2019 年机器硬盘市场局限约为 585 亿美元,占有总体市场的 32%;DRAM 市场规

成熟不变、本钱更优,HDD 成数据中心标配。尽量 SSD 可以施展闪存机能上带来的应用加快,但大量的数据存储依然必要生命周期更长、成熟不变、本钱更优的 HDD 企业级大容量硬盘来支撑。在数据中心、云存储的趋势下,HDD大容量硬盘依然是企业数据中心的标配,市场需求有望进一步增添 。

三、DRAM 沙场,50多年搏杀

动态随机存取存储器( (Dynamic Random Access Memory )DRAM 是一种半导体存储器, 凡是以一个电容和晶体管为一个单位排成二维矩阵。DRAM 操作电容内存储电荷环境来代表二进制比特是 1 或 0。因为晶体管电路会有泄电电流,导致电容上所存储的电荷数目并不敷以正确地辨认。因此 DRAM 必要周期性地充电,因此被称为“动态”存储器。

DRAM 根基的操纵机制分为读(Read )和写(Write)。读的时辰先让字线(Bitline)充电到操纵电压的一半,开关晶体管(由位线节制),若电容内部存储的值为 1,则 Bitline 的电压会被电荷共享举高到高于操纵电压的一半;反之,若内部存储的值为 0,则会把 Bitline 的电压拉低到低于操纵电压的一半。获得 Bitline 电压后,颠末放大器鉴别出内部值为 0 或 1。写的时辰把晶体管打开,若要写 1 时则把 BL 电压举高到操纵电压使电容上存储著操纵电压,若要写 0 时则把 BL 低落到 0 伏特使电容内部没有电荷。

今朝 DRAM 市场局限整体约 603 亿,占总体存储市场局限约 33%,位列数字存储市场局限第一。 连年来受益于数据资料中心、智妙手机、加密钱币等市场需求,DRAM 市场局限总体泛起上升趋势,2019 年因为前期扩产能和去库存等身分,市场局限有所降落。

▲连年来 DRAM 市场 局限及同比增速

▲2019 年DRAM 在存储市场局限及占比

自1966 年IBM 乐成研发 MOS 型 RAM 存储以来, 切合摩尔定律,每 18 个月集成度晋升 1 倍。DRAM 型存储运用的 MOS 技能,不只能耗少、读写速率快且集成度高,因此 DRAM 成为尔后数十年计较机内存的主流技能。制止2020年,三星已乐成开拓出基于 10nm 线宽的 DRAM 产物。

在已往 50 多年里,存储每 GB 价值总体泛起每 4~5 年价值变为 1/10,连年来 ,价值降落趋势有所和缓。1973 年存储每 GB 价值约为 3.22 亿美元,数据存储本钱极高。跟着存储技能的前进以及美、日、韩厂商之间的剧烈竞争,存储本钱降落,2018 年每 GB 价值仅为 7.26 美元。

▲1973-2018 年DRAM 每 GB 价值(USD/GB )

▲1974-2018 年DRAM 每GB 价值变革幅度(% )

DRAM 沙场硝烟弥漫,50 多年的搏杀,今朝韩国企业独有鳌头,三巨头成鼎立之势 。近 10 年来 DRAM 市场齐集度逐渐上升。DRAM 厂商从曾经的“百花齐放”形成今朝的“三国鼎立”排场,三星、镁光、SK 海力士成为 DRAM 规模最终玩家。

▲2001-2019 年DRAM 市场竞争名堂趋势

▲1975-2000 年DRAM 各国出货变革环境

1966 年由 DRAM 之父 IBM 的 罗伯特·登纳德博士地址的 IBM Thomas J. Watson 研发中心乐成研发 MOS 型晶体管+电容布局的 DRAM 存储。1969 年加州的先辈内存体系公司正式贸易推出此款 DRAM。

DRAM 型存储运用的 MOS 技能, 不只能耗少、读写速率快且集成度高 ,辅佐存储情势从粗笨的磁鼓布局快速缩小,因此 DRAM 成为尔后数十年计较机内存的主流技能。

1970 年月前期Intel 一家独大,占有环球超 80%份额。Intel 研究小组操作 MOS工艺开拓出 1kb DRAM,并通过办理各项出产工艺缺陷,于 1970 年在其 3 寸晶圆厂乐成量产 C1103,奠基了 DRAM 快速贸易化的基本。

因为其时大中型计较机行使的磁鼓存储器粗笨昂贵,Intel 向计较机用户大力大举宣传 DRAM,1972 年依附 1K DRAM 取得庞大乐成。到 1974 年,Intel 的 DRAM市场份额达 82.9%。

1970 年月后期,Mostek 击败 Intel ,成为 DRAM 市场最大厂商。1973 年美国其他厂商譬喻德州仪器、Mostek(由德州仪器的前员工于 1969 年创建)、日本厂商 NEC 等先后进入 DRAM 市场,德州仪器推出本钱更低的 4K DRAM,Mostek推出针脚更少的 4K DRAM,均成为 Intel 的强强敌手。

1976 年,Mostek 推出的 MK4116 回收了 POLY-II(双层多晶硅栅工艺),容量达 16K,大获乐成,霸占 75%的 DRAM 市场。尔后继承一连推出新产物,进一步得到市场份额,在 70 年月后期,一度占有 DRAM 市场 85%份额。但其后为应对来自成本市场的恶意收购,导致股权布局大幅变换,策划计谋产生调解,打点层动荡及技强职员流失,公司成长遭遇较大障碍。1978 年四个 Mostek 的去职技强职员创建了另一个将来的存储巨头–镁光。

回首来看, 来看,Intel 因为多线作战 核心分手 、技能路径选择及市场预判失误,损失了 DRAM 的技能先发上风,DRAM 市场份额泛起较快降落。Intel 的存储一度风物无穷,尔后慢慢损失领先,令人唏嘘,往后有机遇再具体睁开。

(编辑:湖南网)

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