Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻

TrenchFET器件典范RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）公布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN，器件回收热加强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装，10 V前提下典范导通电阻到达业内最低的61 mΩ。同时，颠末改造的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节减空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来进步功率密度，占位面积比回收6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。

日前宣布的TrenchFET 第四代功率MOSFET典范导通电阻比市场上排名第二的产物低20 %，FOM比上一代办理方案低17 %。这些指标低落了导通和开关消费，从而节减能源。形状紧凑的机动器件便于计划师代替沟通导通消费，但体积大的MOSFET，节减PCB空间，或尺寸相似但导通消费高的MOSFET。 

SiSS94DN合用于断绝式DC/DC拓扑布局原边开关和同步整流，包罗通讯装备、计较机外设、斲丧电子； 条记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光；以及GPS、工场自动化和家产应用电机驱动节制、负载切换和功率转换。

器件颠末100 % RG和UIS测试，切合RoHS尺度，无卤素。

SiSS94DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。

VISHAY简介

Vishay 是环球最大的分立半导体和无源电子元件系列产物制造商之一，这些产物对付汽车、家产、计较、斲丧、通讯、国防、航空航天和医疗市场的创新计划至关重要。处事于环球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券买卖营业所上市（VSH）的“财产1,000 强企业”。有关Vishay的具体信息，敬请赏识网站 www.vishay.com。

（编辑：湖南网）

【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容!