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站在“新基建”浪潮上的第三代半导体产业 (上)

发布时间:2020-05-14 06:41:15 所属栏目:业界 来源:站长网
导读:副问题#e# 本文为祥峰投资对第三代半导体财富研究内容,个中包括了各原料机能比拟与原料应用范畴,利便从底层相识半导体财富成长,系列文章较长,提议保藏阅读。本文为上篇,下篇请点击:第三代半导体财富(下) 4月20日,国度发改委初次官宣“新基建”的范

必要指出的是,整个半导体射频器件的市场空间局限在百亿美元。个中GaAs器件如故占有的绝大部门市场份额。2014 年,环球射频功放芯片(PA)市场局限为73.9 亿美元,因为GaAs PA相对Si 基CMOS PA 机能上风明明,砷化镓PA产值市场占比高达94%。受益于移动终端进级、物联网财富的一连成长,PA 市场总量估量2020 年将增至114.16 亿美元,2014 至2020年复合增添率为7.51%

站在“新基建”海潮上的第三代半导体财富 (上)

数据来历:Yole, IBS

GaN射频器件的驱动身分:

需求侧,5G通讯将是GaN射频器件市场的首要增添驱动身分。

供应侧,GaN on SiC、GaN on Si的技能不绝成熟,让GaN功率器件有了更高的性价比,打开应用空间。

站在“新基建”海潮上的第三代半导体财富 (上)

GaN功率器件

GaN功率器件,与前述GaN射频功率芯片有所区分。首要指在高电压和较大电流下事变,与高频和射频相关不大。这类最常见的应用是电源相干的芯片。

功率器件首要是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。差异于其他依赖电流驱动的晶体管,MOSFET是电压驱动型器件,只需在门极施加一个吻合的电压,MOSFET就会导通。这一特征让MOSFET在AC/DC开关电源、变速电机、荧光灯、DC/DC转换器等装备中有着无法更换的浸染。

GaN功率器件的首要应用:

站在“新基建”海潮上的第三代半导体财富 (上)

斲丧电子:GaN因为高功率密度和精采的温度特征,用在电源上可分身小体积与大功率输出,另外还具有更好的开关特征。

数据中心电力体系:数据中心包括很多大功率的处事器,凡是必要大电流和低电压,再加上冷却体系,用电本钱奋发。将高电压转换为较低的直流电,用于凡是必要多个DC-DC调动,每一个功率调动阶段,服从城市降落。假如可以行使高压器件举办转换,则可以镌汰电压转换的次数,从而进步整个体系的转换服从。

光伏逆变器:行使GaN功率器件,事变在高出100 kHz的开关频率下,可以大大进步体系的逆变服从。

其他规模还包罗DC-DC转换器、POL转换器,以及电机驱动和D类大功率音频放大器等。

GaN功率器件的市场局限:

2017 年环球功率半导体市场局限为 327 亿美元,估量到 2022 年到达 426 亿美元。家产、汽车、无线通信和斲丧电子是前四大终端市场。

GaN器件在整个功率半导体市场占比还很是小。2016年GaN功率器件市场局限约为1200万美元,估量到2022年将增添到4.6亿美元,CAGR到达79%。首要增添来自电源打点、新能源车、LiDAR、无线功率和封包追踪等应用。

跟着GaN on Si技能的成熟带来本钱低落,GaN功率器件的隐藏市场空间将一连放大。GaN 有望在中低功率更换Si MOSFET、IGBT 等硅基功率器件。按照Yole预计,在0~900V 的低压市场,GaN 都有较大的应用潜力,这一块占有整个功率市场约68%的比重,凭证整体市场400亿美元来看,GaN 功率器件的隐藏市场高出270 亿美元。

站在“新基建”海潮上的第三代半导体财富 (上)

数据来历:Yole, IBS

4、碳化硅 (SiC)的应用场景、市场局限及增添驱动的身分

站在“新基建”海潮上的第三代半导体财富 (上)

MOSFET和IGBT是应用最为普及的功率器件。SiC从上世纪70 年月开始研发。2001年SiC SBD 商用,2010年SiC MOSFET商用。SiC IGBT今朝还在研发中。

SiC能大大低落功率转换中的开关消费,因此具有更好的能源转换服从,更轻易实现模块的小型化,更耐高温。

SiC功率器件的首要应用:

智能电网:SiC功率器件在智能电网的首要应用包罗高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、机动交换输电装置、高压直流断路器等、电力电子变压器等装置中。今朝SiC器件已经在中低压配电网开始了应用。将来更高电压、更大容量、更低消费的柔性输变电对万伏级以上的SiC功率器件有很大需求。

交通:首要用于牵引变流器、电力电子电压器等。回收SiC功率器件可以大幅度进步这些装置的功率密度和事变服从,将有助于明明减轻轨道交通的载重体系。

(编辑:湖南网)

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