相比 7nm 3nm 优势有多大？三星：功耗减半、性能增加 30%

出处：快科技 作者：万南 

由华人科学家胡正明传授发现的 FinFET（鳍式场效应晶体管）估量在 5nm 节点之后走向终结，三星的方案是 GAAFET（环抱栅极场效应晶体管）。

三星日前扼要先容了 GAAFET 中焦点技能 MCBFET（多桥沟道场效应晶体管），基于它打造的 3nm 芯片，相较于 7nm FinFET, 可以镌汰 50% 的能耗，增进 30% 的机能。

凭证三星的说法，他们估量 3nm 晶体管的硅间距缩减 45% 之多。

据悉，MCBFET 应承晶体管向上堆叠、而且自界说宽度，以顺应低功耗可能高机能产物的差异要求。

其它，三星筹划 3nm 量产的时刻是 2022 年，这和上周的报道契合。推迟的缘故起因首要是，EUV 光刻机等要害装备在物流上的耽误。

至于台积电的 3nm，听说第一代照旧 FinFET，总投资高达 500 亿美元，风险试产也推迟到了本年 10 月。

（编辑：湖南网）

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