“你方唱罢我登

元年，用来指某个事物或变乱开始产生的时刻。假如说 2016 年（晋华集成、合肥长鑫和长江存储，中国大陆三大存储器公司相继创立）是中国大陆存储器财富成长的元年。

那 2019 年跟着本土存储企业在 3D NAND Flash、DRAM 等部门的相继投产，可谓是中国大陆公司全面进军存储器市场的元年。

追念 2019 年半导体行业要害词，“存储”必然是个中绕不开的选项。

存储器依照特点差异可分为浩瀚种别，个中半导体存储器回收电能存储，是今朝应用最多的存储器种别。依照断电后是否还能保存数据，可分为“易失性（VM）：RAM、T-RAM ” 与 “非易失性（NVM）：ROM、NVRAM ” 存储两大类。

今朝市场上最重要的存储器为 DRAM 存储器和 Flash 闪存芯片。DRAM（动态随机存储器）是最常见的体系内存，其机能精彩但断电易失，本钱较同级别易失性存储器更低，因此是是最常见的体系内存；Flash（闪存芯片）是应用最广的非易失性存储，因为断电非易失性，因此首要用在大容量存储规模。

DRAM：DRAM 只能将数据保持很短的时刻，为了保持数据，DRAM 行使电容存储，以是必需隔一段时刻革新一次，假如存储单位没有被革新，存储的信息就会丢失。对比 SRAM，DRAM 保存数据的时刻较短，速率也相对较慢，但从价值上来说 DRAM 价值较 SRAM 自制许多，且因为技能区别，DRAM 体积小、集成度高、功耗低，同时其速率比 ROM 快，因此被普及应用。

Flash：从特点来看，Flash 团结了 ROM 和 RAM 的优点，不只具备电子可擦除可编程机能，且断电不会丢失数据，固然读取速率不及 DRAM 但仍旧较量快，同时其本钱较 DRAM 大幅降落。从分类来看，Flash 首要有 NOR 和 NAND 两种，区别在于存储单位毗连方法差异，导致两者读取方法差异。

NOR Flash 今朝以串举动主，具有 XIP 特征，但本钱较高，首要占有小容量市场。NOR Flash 分为串行和并行，串行因为接口简朴、更轻浮小巧、功耗和体系总体本钱更低，因此固然读取速率不及并行 NOR Flash，但已成为首要体系方案商的首选；从特点来看，NOR 以“字”为根基单元，可以直接运行装载在 NOR Flash 内里的代码（XIP）。NOR 对比 NAND 本钱较高，且写入速率慢，因此首要用于成果手机、DVD、TV、USB Key、机顶盒、物联网装备等小容量代码闪存规模，其占有容量为 0~16MBFlash 市场的大部门份额。

NAND Flash 较 NOR Flash 单元容量本钱更低，因此多用于大容量存储。NAND Flash 以块为根基单元，本钱较 NOR 低，写入与读取速率都较量快，但用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此许多几何行使 NAND Flash 的开拓板另需一块 NOR Flash 来运行启动代码。因为 NAND Flash 低本钱高写入和擦除速率等特点，、因此首要用在大容量存储规模，如嵌入式体系（非 PC 体系）的 DOC（芯片磁盘）和常用的闪盘，如手机、平板电脑、U 盘、固态硬盘等。

因为篇幅有限、重点纷歧。本文仅对占有半导体存储市场首要份额的 DRAM 和 NAND Flash 举办梳理和先容。

国际存储大厂何时唱罢？

久远看，环球存储器泛起高增添特征，存储芯片作为半导体产物，占比集成电路产值近 30%，受摩尔定律的支配，整体行业技能成长极快。跟着 5G、物联网（IoT）、边沿计较、人工智能等技能的成长，敦促了数据的发作式的增添。按照 IDC 猜测，到 2025 年，环球物联网装备数将到达 416 亿台，而整个智能联网装备的数目将会到达 1500 亿台，而数目云云复杂的装备接入收集，无疑将发生海量的数据。

在技能前进敦促下，存储器下流产物容量需求晋升敏捷以及新兴应用市场不绝被开发，将直接敦促以 DRAM 和 NAND Flash 为代表的存储芯片财富快速的成长。

存储器行业又具有周期颠簸特征，从汗青示意上看，存储器行业老是处于瓜代呈现的涨跌轮回之中，暴涨暴跌的环境可谓常态。就今朝财富近况而言，环球内存财富产出量年增添率为 12%，是近十年来最低程度，处于行业周期下行阶段。内存市场供大于求，内存价值历经了长达一年半的下跌，导致各内存大厂对付成本支出守旧和工艺转进趋缓，想借由产出的节制，以期来岁市场以后刻的供过于求往供需均衡迈进。

DRAM 市场

纵观 DRAM 近几十年的成长史可以发明，环球 DRAM 财富经验过两次转移，第一次是上世纪 80 年月的美白天转移，第二次是 90 年月日韩间转移。陪伴财富转移，市场多次吞并重组，企业数从 90 年月的十几家锐减至 5 家阁下，随后奇梦达和尔必达休业被并购，DRAM 行业进入三寡头把持名堂。

三星电子依托韩国当局背后的支持，在行业低谷期多次操作“反周期”定律，加剧行业吃亏，迫使偕行业企业休业，最终紧紧占有行业头把交椅。据 TrendForce 的统计表现，三星市场占据率到达 43.9％、SK 海力士排名第二为 29.5％、美光位列第三，市场占据率为 23.5%，三者合计市占率高出 96%。

三寡头 DRAM 轮廓：

三星：DRAM 产物有 4 个厂，自 2016 年 10 月全数转为 12 寸产线，2017 年产能月产 39.5 万片。本年三星故意扩产在平泽厂 2 楼 DRAM 产能，包罗西翼楼 2 楼扩充每月 2 万片 1x 纳米产能，在东翼楼 2 楼每月扩充 6.5 万片 1y 纳米产能，今朝已于上半年完成第一阶段每月增产 3.5 万片，但由于 1y 纳米的微缩难度比预期高，无法有用低落单元出产本钱，以是 Q3 扩增 3 万片月产能打算已暂缓，后续再视环境启动。

SK 海力士：源于韩国当代科技，天下第二大 DRAM 制造商。公司今朝在韩国有 1 条 8 英寸晶圆出产线和 2 条 12 英寸出产线，在美国俄勒冈州有一条 8 英寸出产线，在中国无锡有一条 12 英寸出产线，在台湾也有产线，并和台湾茂德有恒久相助，同时在欧洲有研发中心。SK 海力士于 2015 年建成 M14 新制造中心，M15 正在韩国清州建树中，今朝 M16 打算在京畿道利川市的总部制作。SK 海力士整体月产能约 300-305 千片。

美光：半导体制造厂漫衍在美国，中国，日本等环球各地。连年来美光通过并购尔必达、瑞晶，整合华亚科产能，大幅晋升自身产能靠近 90%，今朝美光 DRAM 产能约莫为 34 万片 / 月，首要漫衍在 Fab11（华亚科代工）、Fab15(尔必达)、Fab16（瑞晶）和 Fab6，除 Fab16 尚有 1~2 万片的空间外，别的扩产空间不大。

NAND 市场

按照 TrendForce 的统计表现，2018 年环球 NAND Flash 前五强别离为：三星（35％）、铠侠（19.2％）、西部数据（14.9％）、美光科技（12.9％）和 SK 海力士（10.6％），前五大厂商一共拿下了 92.6%的市场，假如再加上第六的英特尔，占比将高出 99%。

在 NAND Flash 市场，三星、SK 海力士均已公布新一代 128 层 3D TLC NAND 已开始量产或送样，2020 年西部数据、铠侠、美光等 128 层 3D NAND 也将面世，英特尔乃至将在 2020 年推出 144 层 QLC NAND，同颐魅者之间的竞争风起云涌。

三星：连续在处事器、移动装备等高容量产物的上风，跟着 Intel 新平台以及下半年多款旗舰机延续推出，三星第三季出货较第二季生长逾 10%，库存水位于第三季到达安稳，均匀贩卖单价跌幅则收敛至 5%以内，营收到达 39.87 亿美元，较第二季生长 5.9%。从产能说明，三星仍照原打算逐季缩减 Line12 的 2D NAND 产物，并在一连转进新制程的同时，维持沟通的 3D NAND 投片局限。在新产能方面，西安二期仍依筹划于 2020 年上半年投产，而平泽二厂预定来岁下半年开始营运。

铠侠：尽量受到厂区跳电变乱影响，但沾恩于旺季需求拉升以及苹果新机备货的需求的发动下，出货仍较前一季生长逾 20%，但因为均匀贩卖单价下跌约 5%，使得整体营收来到 22.27 亿美元，季生长 14.3%。从产能方面调查，跳电厂区虽已规复全线营运，但已影响其本年产物产出，增添低于其他竞争者。在 2020 年筹划方面，岩手县 K1 厂已于 10 月完工，估量最快在 2020 年上半年提供产出，有助于位元产出的市场占比回到之出息度。

西部数据：在旺季需求敦促下，西数第三季出货增约 9%，而均匀贩卖单价也因铠侠厂区跳电变乱以及需求增进而止跌，发动第三季营收达 16.32 亿美元，较上季生长 8.4%。从产能筹划来看，铠侠厂区跳电后，产线于七月中旬起逐渐规复，关于产能丧失的最新说法为 4 Exabytes。而在新产线的部门，西数第三季在岩手县 K1 厂投资达 6,400 万美元，估量 2020 年起提供 BiCS4 或更先辈制程的产出。

美光：基于移动装备出货生长以及客户端备货需求涌现，美光第三季 NAND Flash 营收较上季生长 4.7%，达 15.3 亿美元。在位元出货方面，因为 7、8 月有客户转单，本季生长逾 10%，但均匀贩卖单价季度跌幅仍逾 5%。在产能方面，美光于八月公布新加坡新厂正式投入营运，将对转进新制程布局有助益，至于其他在新加坡以及 Manassas 的产能则未有太多变革。

SK 海力士：在第二季出货大幅生长 40%后，SK Hynix 第三季出货轻微放缓，季减 1%，但沾恩于价值逐渐不变以及 Wafer 产物贩卖比重降落，均匀贩卖单价较前一季上涨 4%，使得整体 NAND Flash 营收达 11.46 亿美元，季生长 3.5%。以产能筹划而言，受到 2D NAND 产能缩减影响，本年 SK Hynix 整体产能泛起逐季递减，而主流的 3D NAND 则小幅扩产，新增产能首要设于 M15。

上文提到，DRAM 和 NAND 市场正处于周期性颠簸的下行阶段。因此，行业厂商不只要面临财富周期性变革带来的利润降落，DRAM 和 NAND Flash 技能的推进也使得企业投入的资金增进，赢利变得越发艰巨。

跟着内存价值的触底，以及对 2020 年市场需求的看好，近期内存行情开始呈现起色，多应用市场内存产物价值逐渐上涨。

同时，跟着中国芯片国产化历程的加快，新晋者的插手，战局再度升温。对付三星、SK 海力士、美光等存储大厂而言，必然水平大将刺激在存储计谋机关上加速步骤，力求在下一波存储行情上行之前，进步技能研发程度，稳定市园职位，相应存储市场周期性变革，进步企业赢利的手段。

中国存储企业何时登场？

按照中国海关总署发布的数据表现，2018 整年，中国入口集成电路入口总金额高达 3120.58 亿美元。个中，存储器入口金额就高达 1230.83 亿美元（入口金额同比增添 1188.99%），占总入口额的 39.4%。

数据表现，2018 年环球半导体市场局限已达 4779.4 亿美元，个中环球存储芯片市场局限或许在 1700 亿美元。也就是说，大致的估算，2018 年中国的存储器入口金额占 2018 年环球半导体市场的 25.8%，占环球存储芯片产值的 72.4%。

显然，我国作为环球最大的存储芯片耗损国，假如无法实现存储芯片的自主的话，那么则意味着要害命根子被把握在海外厂商手中。并且，存储芯片是数据的最重要的载体，关乎到各行各业的信息数据的安详。

所幸的是，跟着国产存储厂商长江存储、长鑫存储的相继量产，海外厂商对付存储芯片的把持开始被冲破。

2016 年是中国大陆存储器财富成长的元年，福建晋华集成、合肥长鑫存储和武汉长江存储别离创立于 2 月 26 日、6 月 13 日、7 月 26 日，短短 5 个月，中国大陆三大存储器公司相继创立。

而 2019 年可谓是中国大陆公司全面进军存储器市场的元年。起首是长江存储 32 层 3D NAND Flash 进入量产阶段，接着在 9 月 2 日公布 64 层 3D NAND Flash 投产；然后是 9 月 20 日合肥长鑫公布中国大陆第一座 12 英寸 DRAM 工场投产，并公布首个 19 纳米工艺制造的 8Gb DDR4。

三年时刻，中国相继攻陷了 3D NAND Flash 和 DRAM 技能，办理了大陆存储器有无的题目。下一步要办理的是良率晋升、产能爬坡以及下一代技能的研发等题目。

国产 NAND Flash 规模的打破

长江存储

2016 年 7 月，由紫光团体、国度集成电路财富投资基金、湖北省集成电路财富投资基金、湖北科投在武汉新芯的基本上组建创立国产存储规模的“航母”——长江存储。据统计，长江存储总投资约 1600 亿美元。个中紫光团体占股 51.04%。

长江存储采纳自主研发与国际相助双轮驱动的方法，已于 2017 年研制乐成了中国第一颗 3D NAND 闪存芯片。而跟着 2018 年长江存储的 32 层 NAND Flash 的量产，国产闪存芯片终于实现了重大打破。不外，因为该技能与国际主流技能相差较大，以是并不会影响到市场。

直到本年 9 月长江存储正式公布量产基于自研的 Xtacking 架构的 64 层 256Gb TLC 3D NAND Flash 的量产，逐渐可以或许对今朝的中低端市场形成争夺。

Xtacking 架构

个中值得一提的是，据长江存储先容，该 64 层 256Gb TLC 3D NAND Flash 闪存满意固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与今朝业界已上市的 64/72 层 3D NAND 闪存对比，其拥有同代产物中更高存储密度。

产能方面，长江存储武汉厂今朝的产能或许在 2 万片 / 月的产能。按照筹划，2020 年底长江存储的 64 层 3D NAND 闪存的产能有望晋升至 6 万片晶圆 / 月的局限。2020 年，长江存储会跳过 96 层仓库直接杀向 128 层仓库，力争进一步收缩与三星、东芝等公司的差距。

另外，为了扩充产能，2018 年 10 月 12 日，总投资达 240 亿美元的紫光成都存储器制造基地项目开工，该项目将建树 12 英寸 3D NAND Flash 晶圆出产线，并开展存储器芯片及模块、办理方案等关联产物的研发、制造和贩卖。据估量，长江存储成都厂将于 2020 年二季度投产，届时也许会有 0.5 万片 / 月的产能，到 2020 年四序度产能可爬升到 2 万片 / 月。

届时整个长江存储的 3D NAND Flash 的产能将到达 8 万片 / 月，在整个环球 3D NAND Flash 产能傍边的占比到达 4.6%，已经是与英特尔的 8.5 万片 / 月的产能相靠近。

在技能演进上，在本年顺遂量产 64 层 3D NAND Flash 之后，长江存储会跳过 96 层仓库直接杀向 128 层仓库，这也意味着，2020 年长江存储将会尽力举办 128 层 3D NAND Flash 的研发。据集邦咨询估量，长江存储有望在 2021 年头实现 128 层 TLC 3D NAND Flash 的量产。

信托跟着长江存储产能和技能的进一步成长和成熟，将进一步收缩与三星、SK 海力士、东芝等公司之间的差距。

兆易创新

2005 年兆易创新创立，以 SRAM 发迹，后续延续量产差异制程的 NOR Flash 产物，另外，兆易创新在 NAND 方面也早已开始机关，2013 年 3 月环球首颗 SPI NAND Flash 量产，回收 WSON8 封装。今朝，兆易创新 NOR Flash 在开拓的有 55 纳米、45 纳米，而 NAND 也在从 38 纳米推向 24 纳米。

国产 DRAM 规模的突围

长鑫存储

长鑫存储创立于 2016 年，通过与奇梦达的相助将一千多万份有关 DRAM 的技能文件及 2.8TB 数据收归囊中，成为了长鑫存储最初的 DRAM 技能来历之一。

颠末数年的研发，2019 年 9 月 19 日合肥长鑫存储正式公布自主研发的基于 19nm 工艺制造的 8Gb DDR4 芯片正式量产。

按照筹划，长鑫存储合肥 12 英寸晶圆厂分为三期，第一期满载产能为 12 万片，估量分为三个阶段执行，第一阶段要完成单月 4 万片，今朝为 2 万片，2020 年第一季底到达 4 万片。2020 年开始筹划建树二期项目，并于 2021 年完成 17nm 工艺的 DRAM 研发。

从今朝长鑫存储的近况及筹划来看，其产能仍异常有限，与环球前三的厂商来岁所能到达的月产能高出 130 万片晶圆的投片量对比，仍存在较大差距。可是，跟着长鑫存储技能及产能的一连晋升，将来仍有但愿在环球 DRAM 市场占有重要一席之地。

紫光团体

除了长鑫存储之外，紫光团体本年 6 月 30 日公布，抉择组建紫光团体 DRAM 奇迹群，尽力加快成长国产内存。本年 8 月尾，紫光团体又跟重庆市当局签定投资协议，公布在重庆建树 DRAM 奇迹群总部及内存芯片工场，估量本年底动工。有动静称，紫光打算在 2021 年实现 DRAM 芯片的量产。

资料表现，紫光团体早在 2015 年就开始机关 DRAM，先是延揽高启全插手紫光团体，同时紫光国微又收购了奇梦达公司创立紫光国芯（原西安华芯）。从紫光国微的年报披露环境看，该团队的 DRAM 产物贩卖收入每年约在 5~6 亿人民币之间，其产物自行计划，在境外代工。另外，2015 年，紫光团体还试图通过收购美光进入 DRAM 和 3D NAND 规模，但收购美光受到美国当局的阻击，未能如愿以偿。

可以看到，紫光团体想要进入 DRAM 规模预谋已久。

福建晋华

福建晋华创立于 2016 年，是由福建省电子信息团体、晋江能源投资团体有限公司等配合出资设立的集成电路出产企业，晋华项目已列入国度 “十三五（2016～2020 年） ”集成电路出产力筹划的重要机关中，而且得到国度专项建树基金支持，也就是来自福建省安芯财富投资基金的投资。该基金方针局限为 500 亿人民币。

2017 年 11 月，由联电与福建晋华集成电路公司相助的 12 寸随机存取存储器（DRAM）出产线主厂房正式封顶。该 FAB 主厂房，面积达 27.4 万平方米，原打算于 2018 年下半年投入行使。

按照筹划，福建晋华的制造技能事变首要交由联电举办，整体晋华项目标第 1 期，总计将投入 53 亿美元，于 2018 年第 3 季正式投产，届时导入 32 纳米制程的 12 寸晶圆月产能，估量到达 6 万片的局限。公司方针最终推出 20 纳米产物，筹划到 2025 年四期建成月产能 24 万片。

然而，抱负很柔美，实际很骨感。因为福建晋华和美光之间的诉讼，美国内地时刻 10 月 29 日，美国将福建晋华列入了出口牵制的实体清单。两天之后，联电也公布停息为福建晋华提供研发帮忙。至此福建晋华的 DRAM 险些陷入停滞。

据相识，其时福建晋华已有 200 台的半导体装备到位，而且打算在年底举办小量投片试产，估量 2019 年头可以几千片的局限进入投产，即将要成为国产第一家量产 DRAM 芯片的厂商。然而因为美方的禁令，使得许多相干装备和技能供给商遏制了支持。

不外，克日有晋华高层在勾当中现身暗示，今朝福建晋华仍在低调运作傍边。固然美系供给商间断了相助，可是晋华并未坐以待毙，而是转向了日韩供给商，继承去敦促整个项目标运作，估量来岁会有一些成就。

DRAM、NAND 之外，其余存储器

其他存储器范例还包罗 SRAM（易失性存储）和几种 ROM（非易失性存储）、FRAM、MRAM、RRAM 等，但今朝市场遍及度都较量低。

跟着 5G、汽车电子、物联网等新兴技能的成长，终端需求的转变，开始寻求多种新型存储介质和存储办理方案。

近几年来海内也对 STT-MRAM、PCRAM（相变存储器）、RRAM（阻变存储器）、FRAM、MRAM、等新一代存储芯片技能举办研究来扩充海内企业在存储芯片行业的技能储蓄，固然间隔财富化有必然间隔，但基本技能的储蓄可以或许使得海内存储芯片企业在面临下一次存储器技能厘革时掌握机会，提前做一些筹备。

存储节制器

在存储规模中，除了存储芯片之外，存储节制芯片也是一种极其重要的芯片，该芯片是 CPU 与存储器之间数据互换的中介，抉择了存储器最大容量、存取速率等多个重要参数。出格是在 AI、5G、自动驾驶期间，对付数据处理赏罚及存储速率要求越来越高，节制芯片机能直接影响着计较手段，其重要性不问可知。

连年来，存储节制器作为内存财富的焦点技能之一，在内存财富的成长进程中，其要害性职位更是一日千里。

跟着环球半导体财富的迁徙，海内涌现出了大批存储节制器芯片厂商，在硬盘（HDD）节制器、存储卡节制器、UFD 节制器、SSD 节制器、桥接节制器慢慢实现自主化，并在向高阶节制器偏向成长。

对此，笔者对海内存储节制芯片规模代表厂商做一下简朴梳理：

国科微

国科微电子股份有限公司创立于 2008 年，致力于智能机顶盒、智能监控、存储、物联网等规模大局限集成电路及办理方案开拓。

2015 年，国科微乐成研发 GK21 系列高端固态存储节制器芯片；2016 年率先推出支持国密算法的 GK23 系列与 GK81 系列固态存储节制器芯片；2019 年宣布海内首款世界产固态硬盘节制芯片 GK2302，搭载龙芯嵌入式 CPU IP 核，成为真正实现世界产化的固态硬盘节制芯片，存储容量最高可达 4TB，满意绝大大都当局和企业办公需求。

忆芯科技

北京忆芯科技有限公司于 2015 年底正式创立，技能团队由业界 IC 专家和资深工程师构成，营业偏向包围斲丧级和企业级 SSD 主控芯片，以及从端到云一站式存储方案。

其自主研发的高机能低功耗 NVMe SSD 主控 STAR1000 已量产出货，全新一代高机能低功耗 NVMe SSD 主控 STAR1000P 于 2019 年推向市场。

联芸科技

杭州联芸科技创立于 2014 年，公司以数据存储节制、信息安详、SoC 芯片为焦点研发偏向，是今朝国际上为数不多把握闪存节制焦点技能的企业之一。

联芸科技率先实现了海内首款 40 纳米固态硬盘（SSD）主控芯片、NAND 颗粒自适配、高机能 LDPC 纠错技能以及高机能、高不变性、低功耗的 SSD 固态硬盘办理方案。

代表产物：MAXIO's 固态硬盘主控芯片。

得一微电子

深圳市得一微电子创立于 2017 年，由硅格半导体（创立于 2007）与立而鼎科技（创立于 2015）两家公司归并而成，专注于斲丧级和企业级固态存储节制芯片计划和处事，把握了业界多项要害技能，拥有多项海表里焦点发现专利。

公司具备成熟的存储节制芯片计划流程，在产物界说、技能整合、构架创新、固件支持等方面不绝打破，2019 年已经完成了从斲丧级到企业级机关，产物包围入门斲丧级、高端斲丧级以致企业级固态硬盘的全系列节制器。通过一连化的技能创新、专业化的技能支持、一站式的处事，得一微电子辅佐客户实现从 Assembly（装配）、Production（出产）到 QC（质量节制）等环节的处事，实现更快的计划周期、更高的资源操作服从、更靠得住的存储体系。

首要产物有 PCIe SSD Controller、SATA SSD Controller、UFS Controller、eMMC Controller、USB Controller、SD Controller 以及 Security Storage Controller。

华澜微电子

杭州华澜微电子股份有限公司创立于 2011 年，专业从事数据存储和信息安详的焦点技能研究，提供数据存储和信息安详规模的集成电路芯片和技能方案，是我国独一全系列拥稀有码存储节制器芯片的高科技公司。

公司蕴蓄和把握了 IEEE 1394、SD/MMC/eMMC、USB、IDE/SATA、PCIe 等高速接口技能，成立起了固态硬盘多核并行、模块阵列等多个先辈架构。存储产物包围了存储卡、USB 盘、固态硬盘系列。通过并购了美国 initio (晶量)公司的桥接（Bridge）芯片产物线，形成了 initio Bridge 芯片系列。

代表产物：S68X 系列固态存储节制器芯片。

深圳大心电子

深圳大心电子创立于 2014 年底，专注于固态硬盘的技能研发与计划。在 NVMe 节制器，LDPC 错误矫正，以及固件支持上，有着领先业界的技能，已得到多项专利。Orion 系列芯片，于 2016 下半年导入量产。

2019 年 1 月推出最新一代的 PCIe SSD 主控芯片 Libra EP280，方针定位在高阶斲丧类、数据中心、及入门企业级的应用。

华存电子

江苏华存电子创立于 2017 年，是江苏省南通市第一家高阶存储产物主控计划公司，致力于晋升海内存储节制器和存储产物廉价技能手段。

2018 年 11 月，华存电子宣布自研嵌入式 40 纳米工规级存储芯片 HC5001 及应用存储办理方案。支持第 5.1 版内嵌式存储器标淮(eMMC5.1)、支持立体布局闪存原料(3D TLC NAND Flash)、支持随机读出写入闪存高不变度效能算法（FTL）、支持高速闪存接口（ONFI3.2/ToggIe2.0）、支持高靠得住度低密度奇偶校验码纠错验算法(LDPC)，以及 40nm 工艺制程满意了高效能低功耗工规级别 eMMC 嵌入式存储装置需求。

兆芯电子

合肥兆芯电子创立于 2015 年，首要从事闪存芯片相干的 eMMC、SSD 等节制芯片以及整机体系的计划研发和贩卖，专精于内嵌式储存装置（Embedded）、固态储存装置及保密性存储器相干技能的应用。

合肥兆芯电子拥有 USB&Memory Card、SSD Drive、SSD Module、SSD Mobile Embedded、eMMC 的成熟团队，争创 USB 随身碟、SD 影象卡、eMMC、PATA 与 SATA 固态磁盘等节制芯片规模的领头者。

江波龙电子

深圳市江波龙电子创立于 1999 年，是一家聚焦 NAND 闪存应用和存储芯片定制、存储软件开拓的中国存储企业，旗下拥有深耕行业应用的嵌入式存储品牌 FORESEE 和高端斲丧类存储品牌 Lexar 雷克沙。承袭 DMS（Design、Module、Service）特色处事系统，江波龙电子一连为环球用户提供高质量的存储创新产物。

江波龙电子致力于适应市场需求举办产物研发，为客户提供普及的、高机能、创新性的闪存应用产物息争决方案。依附在自主研发、IC 固件计划、封装基板计划和全面品格打点等方面的气力，为客户提供有竞争力的存储产物，并不绝扩展 NAND 闪存产物的应用范畴。

海思

据相识，华为海思也拥有 SSD 节制器芯片，不外首要用于公司内部的处事器和数据中心产物，并差池外界市场举办贩卖，据传言其产物机能异常精采。

本土存储财富的机会和挑衅

通过上述内容可以看到，国际大厂仍占有存储市场首要职位，那么本土厂商存在哪些机会和挑衅？

笔者以为，本土存储企业面对以下机会和挑衅：

机会

日韩商颐魅争端，韩国存储企业受此连累，给了本土企业更多追赶的利好；

存储市场供过于求，处于下行周期，国际大厂守旧成长之际，本土厂商正是加快研发，乘隙追赶的机缘；

海内财富政策投资一连加码，推出了一系列政策增强对信息安详的把控，而“芯片国产化”就是详细示意方法之一。从芯片国产化详细的实验进程中，存储器行业成为了国度投资的重要偏向；

中国复杂内需市场上风，今朝已成为环球最大集成电路斲丧市场，存储器作为我国集成电路财富中占比最大的规模之一，势必会在我国信息财富成长中饰演极为重要的脚色，而云计较、物联网、大数据等规模的机关，集成电路相干政策的宣布，更是为存储器财富成长奠基了市场、政策等基本。

挑衅

身处存储财富，则存储市场疲软在某方面是机会，但也是挑衅；

国际存储厂商呈把持排场，市场占比对本土企业来讲是挑衅地址；

技能、工艺、机能、专利壁垒等方面均存在不小差距和挑衅，本土厂商还需打破。

结语

存储财富成长气象已如上所述，结语不再过多赘述。

在半导体财富敦促之下，已往几十年中，存储行业玩家你方唱罢我登场。

几经行业周期调动之中，韩国存储大厂何时唱罢？中国存储企业何时登场？

这一疑问被扔进财富的旋涡洪水中，回旋升沉。

（编辑：湖南网）

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