电子显微镜下看英特尔14nm+++和台积电7nm

纯真从名字上看，台积电在工艺制成方面明明领先于英特尔，不外环境好像并不是这样，此前英特尔也暗示，台积电的定名方法有争议，并非凭证现实物理数值。台积电也暗示，很早就不凭证物理数值定名了。那么英特尔和台积电的制程工艺差几多呢？

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一位加拿大博主拿来电子显微镜，专门比拟了英特尔的14nm+++和台积电的7nm，对应产物为i9-10900K和锐龙9 3950X。功效较量故意思，固然两者定名差距很大，但从电子显微镜中看，两者不同很小。

英特尔14nm+++和台积电的7nm

英特尔14nm+++和台积电的7nm

现实上英特尔14nm+++的晶体管栅格宽度为24nm，而台积电7nm的晶体管栅格宽度为22nm，并且栅格高度也很相似。从数据上看台积电7nm确实领先英特尔14nm+++，但领先幅度很是有限。云云看来，英特尔的10nm逾越台积电7nm是没有题目的，看来在营销方面，台积电照旧有一手啊。

（编辑：湖南网）

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