可提升数据中心应用效能 美光发布176层3D NAND闪存

日前，存储器厂商美光公布，其第五代3D NAND闪存技能到达创记载的176层堆叠。估量通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技能以及架构，可以大幅度晋升数据中心、智能边沿计较以及智妙手机存储的应用效能。

据相识，176层3D NAND闪存是美光第二取代换闸(Replacement Gate)架构，是今朝环球技能最为先辈的NAND节点，相较于前代3D NAND对比，美光176层3D NAND闪存在读取及写入耽误方面晋升35%。

美光176层闪存着实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb(64GB)，虽然后期很也许会插手QLC。

据悉，美光176层3D NAND闪存可提供更好的处事质量，可加快数据麋集情形和事变负载，譬喻数据库、人工智能引擎以及大数据说明等。

得益于新的闪存架构和堆叠技能，美光将176层闪存的厚度节制在45微米，根基上与早期的64层浮动栅极3D NAND相等，以是，纵然在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会高出1.5毫米，可以轻松放入智妙手机、存储卡。

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（编辑：湖南网）

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