12nm工艺 紫光国芯发布GDDR6控制器芯片：速率可达16Gbps

不经意间，中国的芯片公司又冲入了一个新规模，日前西安紫光国芯公布推出12nm工艺的GDDR6存储节制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。

紫光国芯之前做过DDR内存芯片，尚有就是NAND闪存，推出显存相干的IP芯片照旧第一次，并且水准不低，制程工艺行使的是GF格芯的12nm LP低功耗工艺，做的也是GDDR6存储节制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），各人可以领略为GDDR6显存的主控芯片。

按照紫光国芯先容，这个GDDR6 MC/PHY IP包罗一个可设置的内存节制器（MC），其完全切合DFI3.1和AMBA AXI4.0尺度，并应承计划工程师天生具有优化耽误和带宽的GDDR6节制器以满意高机能应用的要求，如显卡，游戏机和AI计较等。

该IP针对功耗和机能举办了优化计划，西安紫光国芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速度，同时兼容JEDEC250和DFI3.1尺度。

物理接口（PHY）部门还嵌入了高机能锁相环以满意严酷的时序类型。

与主流GDDR6存储颗粒集成，颠末流片测试验证，该IP的机能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满意计划规格要求。且当数据率为16Gbps时，均匀每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

今朝，紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP已经在格芯的12LP工艺平台上架。

（编辑：湖南网）

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