加入收藏 | 设为首页 | 会员中心 | 我要投稿 湖南网 (https://www.hunanwang.cn/)- 科技、建站、经验、云计算、5G、大数据,站长网!
当前位置: 首页 > 创业 > 正文

宽禁带半导体为何能成为第三代半导体

发布时间:2020-09-29 12:06:44 所属栏目:创业 来源:网络整理
导读:作者| 薛定谔的咸鱼 2020年9月27日,近期,第三代半导体财富将写入十四五筹划的动静在收集上撒播。第三代半导体首要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们凡是都具有高击穿电

意法半导体(ST)新原料和电源方案奇迹部的创新和要害项目计谋营销总监Filippo Di Giovanni猜测:“跟着GaN技能向更小的工艺节点演进,在到达0.15μm栅长时,GaN将挑衅GaAs器件在便携式无线应用中的主导职位。”

我国先辈的光刻机也许在短期内无法打破,在假如只是光刻0.15μm(150nm)的光刻机照旧没有题目的。

(编辑:湖南网)

【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容!

热点阅读