[图]三星已创立专家组以进步NAND闪存出产良率 筑建技能壁垒

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图片来自于 三星官网

据悉，该小组有来自三星装备办理方案(SDS) 制造技能中心的专家、以及认真 NAND 闪存出产的高管。新的团队将办理芯片出产进程中呈现的任何题目，并实验进步整个流程出产服从的步调。

今朝在 128 层 V-NAND 闪存芯片出产方面，三星面对着英特尔和YMTC(长江存储技能有限公司)等公司的剧烈竞争，因此公司但愿确保工艺是行业内最高效的，并提跨越产良率。公司还在投资扩大内存芯片的产能。

韩国芯片巨头回收的是通道孔蚀刻技能，从上到下穿孔叠加128层。这提供了层与层之间的电毗连。层数越高，内存容量越大。单堆叠法暗示一次穿孔的工艺，三星在出产第6代NAND闪存芯片时回收了这种要领，以进步价值竞争力。尚有一种双层叠加法，就是分两步穿孔，但本钱高达30%以上。

据称，与穿透96层NAND闪存芯片对比，穿透128层NAND闪存芯片所需的时刻是其两倍。三星的新使命组将全力降服尽也许多的限定，形成更大的技能壁垒。这是三星“Super Gap”打算中的重要一环，但愿通过庞大技能上风让竞争敌手无法追赶。

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（编辑：湖南网）

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