长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片研发成功

此次同时宣布的尚有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片X2-9060，以满意差异应用场景的需求。

据相识，每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写机能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速度。

长江存储暗示，公司用短短3年时刻实现了从32层到64层再到128层的超过。

另据财联社报道，估量2020年底-2021年中旬延续量产，方针到达月产能10万片；供给链动静透露，这款闪存已送样。

本文素材来自互联网

（编辑：湖南网）

【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容!