中芯国际概述N+1节点投产打算 较14nm工艺更具本钱上风

客岁，中芯国际暗示将在四序度开启基于 14nm FinFET 制程的量产芯片。同时，该公司也在全力开拓下一代首要节点（N+1），宣称具有可媲美 7nm 工艺的部门特征。与中芯国际自家的 14nm 制程对比，N+1 可在机能晋升 20% 的同时低落 57% 的功耗、并将逻辑面积镌汰了 63% 。

资料图（来自：SMIC）

但现实上，中芯国际暗示 N+1 并不等同于 7nm 技能。尽量新工艺可让 SoC 变得更小、更节能，但 N+1 带来的机能晋升，仍无法与 7nm 竞品做到各有千秋。

有鉴于此，中芯国际将 N+1 定位于更具本钱吸引力的芯片制造技能。该公司讲话人称：“N+1 的方针是低本钱应用，与 7nm 对比，其上风在 10% 阁下”。

另外，中芯国际的 N+1 工艺并未行使极紫外光刻（EUVL），因此该晶圆厂无需从 ASML 购置其余昂贵的装备。

这并不声名该公司没有思量过 EUV，其确有得到 EUV 步进扫描体系，但有报道称因美方施压而尚未安装，导致中芯国际只得比及 N+2 工艺时回收上 EUV 。

假如统统顺遂，中芯国际有望在 2020 年 4 季度开始 N+1 制程的风险试产，并于 2021 或 2022 年转入大批量出产。

（编辑：湖南网）

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