2021年ASML将推下一代EUV光刻机 面向2nm、1nm工艺

今朝ASML出货的光刻机首要是NXE:3400B及改造型的NXE:3400C，两者根基布局沟通，但NXE:3400C回收模块化计划，维护越发便捷，均匀维修时刻将从48小时收缩到8-10小时，支持7nm、5nm。

另外，NXE:3400C的产能也从之前的125WPH（每小时处理赏罚晶圆数）晋升到了175WPH。

岂论NXE:3400B照旧NXE:3400C，今朝的EUV光刻机照旧第一代，首要特点是物镜体系的NA（数值孔径）为0.33。

按照光刻机的判别率公式，NA数字越大，光刻机精度还会更高，ASML此刻还研发NA 0.55的新一代EUV光刻机EXE:5000系列，首要相助搭档是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。

EXE:5000系列的下一代光刻机首要面向后3nm期间，今朝三星、台积电发布的制程工艺蹊径图也就到3nm，2nm乃至1nm工艺都还在构思中，要想量产就必要新的制造设备，新一代EUV光刻机是重中之重。

按照ASML的信息，EXE:5000系列光刻机最快在2021年问世，不外首发的照旧样机，真正用于出产还得等几年，乐观说法是2023年可能2024年才有也许看到NA 0.55的EXE:5000系列光刻机上市。

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（编辑：湖南网）

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