外媒：三星电子将向中国芯片厂再投资80亿美元

克日，据外媒报道称，三星电子将对个中国芯片工场增进80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的出产。

三星的此次投资正值环球内存市场估量于来岁反弹之际。据估量，因为供给有限，以及对5G装备和收集需求的不绝上升，来岁环球内存芯片市场将呈现反弹。

三星是天下上最大的NAND闪存芯片制造商，NAND闪存芯片可以永世生涯数据，广泛用于移动装备、存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中。

三星2017年曾公布，将来三年将向出产NAND闪存芯片的西安工场投资70亿美元。在此之前，三星早些时辰还向西安的一家检测和包装工场投资了108亿美元。

此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目标二期的第二阶段投资，之前的 108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。

二期项目估量于2021年下半年完工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。

三星在NAND闪存规模的竞争敌手包罗韩国的SK Hynix、美国的美光科技和日本的东芝公司。另外，几家中国公司也曾试图进入该市场。

本年9月，紫光团体旗下长江存储科技有限责任公司公布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满意固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

（编辑：湖南网）

【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容!